, где iвт - ток, образованный вторичными электронами, iп
Количественно В. э. э. характеризуется коэфф. В. э. э. o = iвт/iп
противоположной поверхности (эмиссия на прострел, рис. 2,б).
подвергается бомбардировке (эмиссия на отражение, рис. 2,в), но и с
В тонких плёнках В. э. э. наблюдается не только с той поверхности, к-рая
вторичные электроны; Еn - энергия первичных электронов.
отражённые электроны, II - неупруго отражённые электроны, III - собственно
Рис. 1. Распределение вторичных электронов по энергиям: I - упруго
регистрируемом потоке вторичных электронов (рис. 1).
тела (истинно вторичные электроны). Все три группы электронов присутствуют в
потенциального барьера на поверхности тела, то электроны покидают поверхность
их энергия и импульс оказываются достаточно большими для преодоления
электронов твёрдого тела, переходящих на более высокие уровни энергии. Если
(неупруго отражённые электроны), расходуемой в основном на возбуждение
энергии (упруго отражённые первичные электроны), остальные - с потерями энергии
испущенные - вторичными. Часть первичных электронов отражается телом без потери
Аустином и Г. Штарке. Электроны, бомбардирующие тело, наз. первичными,
твёрдого тела при её бомбардировке электронами. Открыта в 1902 нем. физиками
ВТОРИЧНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ, испускание электронов поверхностью
БСЭ. Вторичная электронная эмиссия - Вычет
Комментариев нет:
Отправить комментарий